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高坪电工培训班文章内容：

技术特征：
1.一种四串分口充电放电带二次保护的电路板，其特征在于：包括：u1保护电路和u2保护电路，所述u1保护电路和u2保护电路相并联，在u1保护电路失效时通过u2保护电路进行充电保护，在u2保护电路失效时通过u1保护电路进行充电保护。2.根据权利要求1所述的一种四串分口充电放电带二次保护的电路板，其特征在于：所述u1保护电路包括：芯片u1，所述芯片u1的一号引脚上连接有电阻r1，所述芯片u1的二号引脚上连接有电阻r12,所述芯片u1的三号引脚上连接有电阻r11，所述芯片u1的五号引脚上连接有热敏电阻rntc1，所述热敏电阻rntc1上远离所述芯片u1的五号引脚的一端连接有电阻r8，所述电阻r8上远离所述热敏电阻rntc1的一端接地vss1，所述芯片u1的六号引脚上连接有电容c7，所述电容c7上远离所述芯片u1的六号引脚的一端与所述电阻r8上远离所述热敏电阻rntc1的一端相连接地vss1，所述芯片u1的七号引脚上连接有电容c17，所述电容c17上远离所述芯片u1的七号引脚的一端与所述电阻r8上远离所述热敏电阻rntc1的一端相连接地vss1，所述芯片u1的八号引脚上连接有电容c6，所述电容c6连接在所述热敏电阻rntc1和所述电阻r8之间，所述电容c6上远离所述芯片u1的八号引脚的一端与所述电阻r8上远离所述热敏电阻rntc1的一端相连接地vss1，所述芯片u1的九号引脚与所述电阻r8上远离所述热敏电阻rntc1的一端相连接地vss1，所述芯片u1的十号引脚上连接有电阻r7，所述电阻r7上远离所述芯片u1的十号引脚的一端与所述芯片u1的十六号引脚相连接，所述芯片u1的十六号引脚上连接有稳压二极管d8，所述稳压二极管d8上远离所述芯片u1的十六号引脚的一端接地vss1，所述芯片u1的十六号引脚上连接有电容c1，所述电容c1上远离所述芯片u1的十六号引脚的一端接地vss1，所述芯片u1的十六号引脚上连接有电阻r2，所述电阻r2上远离所述芯片u1的十六号引脚的一端连接有开关二极管d1，所述开关二极管d1上远离所述电阻r2的一端与所述芯片u1的十五号引脚相连接，所述芯片u1的十一号引脚上连接有电阻r9，所述电阻r9上远离所述芯片u1的十一号引脚的一端与所述电阻r8上远离所述热敏电阻rntc1的一端相连接地vss1，所述芯片u1的十二号引脚上连接有电阻r6，所述电阻r6上远离所述芯片u1的十二号引脚的一端连接有镍片贴片b1，所述芯片u1的十二号引脚上连接有电容c5，所述电容c5上远离所述芯片u1的十二号引脚的一端接地vss1，所述芯片u1的十三号引脚上连接有电阻r5，所述电阻r5上远离所述芯片u1的十三号引脚的一端连接有镍片贴片b2，所述芯片u1的十三号引脚上连接有电容c4，所述电容c4上远离所述芯片u1的十三号引脚的一端接地vss1，所述芯片u1的十四号引脚上连接有电阻r4，所述电阻r4上远离所述芯片u1的十四号引脚的一端连接有镍片贴片b3，所述芯片u1的十四号引脚上连接有电容c3，所述电容c3上远离所述芯片u1的十四号引脚的一端接地vss1，所述芯片u1的十五号引脚上连接有电阻r3，所述电阻r3上远离所述芯片u1的十五号引脚的一端连接有镍片贴片b4，所述芯片u1的十五号引脚上连接有电容c2，所述电容c2上远离所述芯片u1的十五号引脚的一端接地vss1。3.根据权利要求2所述的一种四串分口充电放电带二次保护的电路板，其特征在于：所述u2保护电路包括u2芯片，所述u2芯片的一号引脚连接有电阻r14,所述u2芯片的二号引脚连接有电阻r16，所述电阻r16上远离所述u2芯片的二号引脚的一端与所述电阻r12连接，所述u2芯片的三号引脚连接有电阻r26，所述电阻r26与所述电阻r11相连接，所述u2芯片的四号引脚连接有nmos晶体管q1，所述nmos晶体管q1上远离所述u2芯片的四号引脚的一端连接有电阻r23，所述电阻r23和所述nmos晶体管q1之间并联连接有电容c16、电阻r25和稳压二
极管d6，所述电容c16、电阻r25和稳压二极管d6上远离所述nmos晶体管q1的一端接地vss1，所述电阻r23上远离所述nmos晶体管q1的一端连接有电阻r21，所述u2芯片的五号引脚连接有热敏电阻rntc2,所述热敏电阻rntc2上远离所述u2芯片的五号引脚的一端连接有电阻r22,所述电阻r22上远离所述u2芯片的五号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的六号引脚连接有电容c13，所述电容c13上远离所述u2芯片的六号引脚的一端与所述接地vss1连接，所述u2芯片的七号引脚连接有电容c14，所述电容c14上远离所述u2芯片的七号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的八号引脚连接有电容c15，所述电容c15上远离所述u2芯片的八号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的九号引脚与接地vss1连接，所述u2芯片的十号引脚连接有电阻r19,所述电阻r19上远离所述u2芯片的十号引脚的一端与u2芯片的十六号引脚连接，所述u2芯片的十六号引脚连接有稳压二极管d9，所述稳压二极管d9上远离所述u2芯片的十六号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十六号引脚上连接有电容c8，所述电容c8上远离所述u2芯片的十六号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十六号引脚上连接有电阻r13，所述电阻r13上远离所述u2芯片的十六号引脚的一端连接有开关二极管d2，所述开关二极管d2上远离所述电阻r13的一端连接有镍片贴片b+，所述镍片贴片b+上远离所述开关二极管d2的一端连接有保险丝f1，所述保险丝f1上远离所述镍片贴片b+的一端与放电正极p+连接，所述放电正极p+上连接有快恢复二极管d3，所述快恢复二极管d3上远离所述快恢复二极管d3的一端与放电负极p-连接，所述u2芯片的十一号引脚连接有电阻r24，所述电阻r24上远离所述u2芯片的十一号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十二号引脚连接有电容c12，所述电容c12上远离所述u2芯片的十二号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十二号引脚连接有电阻r20，所述电阻r20上远离所述u2芯片的十二号引脚与镍片贴片b1连接，所述u2芯片的十三号引脚连接有电容c11，所述电容c11上远离所述u2芯片的十三号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十三号引脚连接有电阻r18,所述电阻r18上远离所述u2芯片的十三号引脚的一端镍片贴片b2连接，所述u2芯片的十四号引脚连接有电容c10，所述电容c10上远离所述u2芯片的十四号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十四号引脚连接有电阻r17，所述电阻r17上远离所述u2芯片的十四号引脚的一端与镍片贴片b3连接，所述u2芯片的十五号引脚连接有电容c9，所述电容c9上远离所述u2芯片的十五号引脚的一端与接地vss1连接，所述u2芯片的十五号引脚连接有电阻r15，所述电阻r15上远离所述u2芯片的十五号引脚的一端与镍片贴片b4连接，所述电阻r15上远离所述u2芯片的十五号引脚的一端与镍片贴片b+连接。4.根据权利要求3所述的一种四串分口充电放电带二次保护的电路板，其特征在于：所述放电负极p-上连接有场效应管m1和场效应管m2，所述场效应管m1和场效应管m2上的五号引脚、六号引脚、七号引脚和八号引脚均与所述放电负极p-连接，所述场效应管m1和场效应管m2上的五号引脚、六号引脚、七号引脚和八号引脚均与所述电阻r16和电阻r12连接，所述场效应管m1和场效应管m2上的一号引脚、二号引脚和三号引脚均连接有合金电阻rs1，所述合金电阻rs1上远离所述场效应管m1和场效应管m2的一端与接地vss1连接，所述接地vss1上远离所述合金电阻rs1的一端连接有镍片贴片b-，所述场效应管m1上的一号引脚、二号引脚和三号引脚均连接有电阻r28，所述场效应管m1和场效应管m2上的四号引脚均连接有电阻r27，所述电阻r27与电阻r28相并联，所述电阻r27上远离所述场效应管m1和场效应管m2的一端与所述nmos晶体管q1连接，所述场效应管m1上的四号引脚连接有开关二极管d4和开
关二极管d5,所述开关二极管d4和开关二极管d5相并联，所述开关二极管d5与所述nmos晶体管q1连接，所述开关二极管d4与所述芯片u1上的四号引脚相连接。5.根据权利要求4所述的一种四串分口充电放电带二次保护的电路板，其特征在于：所述场效应管m1和场效应管m2与所述镍片贴片b-之间并联有场效应管m3和场效应管m4，所述场效应管m3和场效应管m4相串联，所述场效应管m3上的一号引脚、二号引脚和三号引脚上连接有电阻r30，所述电阻r30与所述场效应管m3上的四号引脚连接，所述场效应管m3上的四号引脚与所述电阻r1相连接，所述场效应管m3上的一号引脚、二号引脚和三号引脚上连接有肖特基二极管d7，所述肖特基二极管d7上远离所述场效应管m3的一端与充电负极c-连接，所述场效应管m3上的五号引脚、六号引脚、七号引脚和八号引脚均所述场效应管m4上的一号引脚、二号引脚和三号引脚连接，所述场效应管m3上的五号引脚、六号引脚、七号引脚和八号引脚上连接有电阻r29，所述电阻r29与所述场效应管m4上的四号引脚连接，所述场效应管m4上的四号引脚与电阻r14连接，所述场效应管m4上的五号引脚、六号引脚、七号引脚和八号引脚与所述合金电阻rs1连接。

技术总结
本实用新型公开了新能源技术领域的一种四串分口充电放电带二次保护的电路板，包括：U1保护电路和U2保护电路，所述U1保护电路和U2保护电路相并联，本实用新型在U1保护电路失效时通过U2保护电路进行充电保护，在U2保护电路失效时通过U1保护电路进行充电保护。失效时通过U1保护电路进行充电保护。失效时通过U1保护电路进行充电保护。


技术研发人员：胡家盛
受保护的技术使用者：永康市盛一能源科技有限公司
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2022/6/24

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